全系列光传感器件
光传感器件广泛应用于ATM纸币识别机、打印扫描仪和旋转编码装置等。除此之外，也大量应用于于ITS（智能交通系统）、红外测距、红外感应、图像处理、监控摄像头、人工植物生长光源、灭菌杀菌、气体分析以及分布式光纤温度传感等各方面。
本系列光传感器件类别包括紫外光UV-A（315-380nm）和UV-B（280-315nm），Si基UV传感器，GaN基光电二极管和LED（UV-A），以及GaN基紫外传感器（UV-B）一系列产品。近红外线（Near Infrared）（1.0-2.5μm）范围和中红外线（2.5-4μm）范围内，前者有InGaAs基光电二极管和LED，后者则有InGaAs基光电二极管。
短波长的光接收元件可用于火焰检测器、水银/LED监控灯以及紫外照度计等。而短波长的发光元件则可用于硬化树脂、识别纸币，或是用作分析光源等。在长波长领域，应用于光接收元件和发光元件的近红外线光谱仪（Near-Infrared Spectroscopy：NIRS；用于检测水分）和近红外线相机的照明LED也已量产。
发光二极管（LED）
发光波长范围为365nm～1650nm之间。
其中包括点光源LED、平行光LED、多波长LED、GaN/InGaN基UV LED（367、373nm）和InGaAsP基长波长LED（1300、1450、1550、1650nm）等。
器件封装上，可选择进行树脂密封、气密封装、环氧树脂灌封、贴片式SMD陶瓷封装密封和通过传递模塑加工的SMD封装等。
此外，还可进行具备特殊发光形态（子弹形平顶或角形侧视）的树脂密封等。
光电探测二极管
本系列包括PIN光电二极管（850nm）、硅基UV传感器（254、365nm）、GaN/InGaN/AlGaN基UV传感器（260、315、340、355、365nm）、InGaAs基长波长光电二极管（1550、1950、2200、2400nm）、带制冷InGaAs/InAs基长波长光电探测器二极管（1550、3000nm)、高速响应硅光电二极管、硅基16通道光电二极管。
硅光电三极管
硅基光电三极管（气密密封、带可见光切割过滤器、3φ陶瓷封装、树脂密封）
雪崩光电二极管
硅基雪崩光电探测二极管（fc=1.5、0.6、0.25GHz）
